沉淀二氧化硅表面的隔離羥基和相鄰羥基，在存放過程中，接觸水蒸氣就會改變濃度。其中隔離羥基不變化，說明在生產過程中產生的隔離羥基是穩定的，而相鄰羥基會逐漸增多，這種現象也可用楊格的機理來解釋，即在高溫下形成了某些含有 “內應力”的硅-氧-硅鍵，它可吸水打開而形成更多的相鄰羥基。沉淀二氧化硅在常溫~700℃溫度范圍內加熱不會改變其無定型結構，但大于700℃后比表面積逐漸減小，這表明結構發生了變化，表面熔結，吸附能力相應減小。

　　沉淀二氧化硅因工藝、生產方法、要求等各異，其酸堿性也有差別：一般多近中性，但也有微酸性或微堿性。