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            沉淀二氧化硅的表面結構分析

            雙擊自動滾屏 發布時間:2012/12/21 閱讀:3347次 【字體:

                沉淀二氧化硅(白炭黑)表面存在著—OH。許多研究表明,這些羥基以二種類型存在。

              1、相鄰羥基存在于沉淀二氧化硅(白炭黑)中,這些羥基鄰近,故以氫鍵形式彼此結合。相鄰羥基對極性武陟的吸附是十分重要的,它是比隔離羥基更有效的吸附點。

              2、隔離羥基主要存在于脫水的表面,這種羥基本身沒有發生氫鍵,故氫院子的正電性較強,很容易和負電子的原子如氧、氮等發生吸附,它不易升溫脫除,沉淀二氧化硅(白炭黑)的隔離羥基比氣相二氧化硅多。

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